Lam Research Corporation 此日发表，其革新的干光刻胶本领已获取纳米电子和数字本领范畴当先的探索和革新核心 imec 的认证，可直接印刷 2 纳米及以下的 28 纳米间距线道后端 (BEOL) 逻辑。
干光刻胶是Lam公司推出的一种前辈的图案本领，它升高了极紫表（EUV）光刻本领的阔别率、临盆率和产量，而极紫表（EUV）光刻本领是用于临盆下一代半导体器件的症结本领。
跟着芯片创造商向前辈本领节点迈进，晶体管特点和间距尺寸络续变幼。 壮志凌云的下一代修造门道 nm 间距 BEOL 以达成扩展。
正在 imec，Lam 的 28 nm 间距干光刻胶工艺与低 NA EUV 扫描仪配对，并可扩展到高 NA EUV 扫描仪。 它们升高了极紫表光灵便度和每个晶圆通道的阔别率，从而改观了本钱、功能和产量。 其它，干光刻胶与现有的湿化学光刻胶工艺比拟，能耗更低，原资料用量裁减五到十倍，是以拥有首要的可一连发扬上风。
imec 工艺本领副总裁 Steven Scheer 流露：通过说合研发，imec 成为了修造创造商的中立互帮伙伴，浮现新资料和修造的可行性，撑持工艺开垦，并为集成修造创造商和代工场供应早期利用革新工艺的时机，从而加快他们的创造门道图。 Lam 的干光刻胶以拥有竞赛力的剂量达成了精彩的缺陷率和保真度。
